onsemi FDB7045L
$ 3.521
Obsolete
Precio y existencias
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Tendencia de 3 meses: -100%
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFB7446PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF7580MTRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME Package, MG-WDSON-8, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB7045L suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET / Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
107W 20V 41nC@ 5V 1individualNChannel 30V 4.5m¦¸@ 10V 100A 4.357nF@ 15V TO-263-3 SMD mount£¬glue mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:100A; On-Resistance, Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-263; Drain-Source Breakdown Voltage:-55V RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time74 ns
Fichas técnicas y documentos
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