onsemi FDB3652-F085
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Price @ 1000
$ 1.02
Stock
237,833
308,675
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
150 W
Input Capacitance
2.88 nF
2.88 nF
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-08
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
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onsemiHUF75645S3S
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
onsemiHUFA76645S3ST
310W(Tc) 3V@ 250µA 153nC@ 10V 1individualNChannel 100V 14mΩ@ 75A,10V 4.4pF@25V D2PAK SMD mount
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB3652-F085 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 61A, TO-263AB;
FDB3652_F085 Fairchild/ON Semiconductor
100V 61A 14m´Î@10V61A 150W 4V@250uA 100pF@25V N Channel 2.88nF@25V 41nC@0~10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-263AB MOSFETs ROHS
PWR ULTRAFET TRENCH MOS / TAPE REEL
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time85 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento