onsemi FDB088N08
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Este componente
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Stock
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610,389
610,389
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
85 A
80 A
80 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
8.8 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
140 W
140 W
Input Capacitance
6.595 nF
3.07 nF
3.07 nF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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InfineonIRF1407STRLPBF
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078Ω, Id = 100A⑥) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
InfineonIRF3808STRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 106A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STB140NF75T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN D2PAK
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB088N08 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 85A, 8.8mΩ
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
MOSFET, N CH, 75V, 85A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:160W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time102 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.595 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max8.8 mΩ
Rise Time158 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time244 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento