onsemi FDB082N15A
$ 3.636
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB082N15A | 195 | 89 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDB082N15A | 303 | 1d | |||||||||
| DigiKey | FDB082N15AFSCT-ND | 327 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FDB082N15A | 0 | 800 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDB082N15A | 0 | 200 | Bulk |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-01-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiFDB075N15A
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIRF3415SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB082N15A suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.2mΩ
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
150 V, 105 A, 8.2 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 150V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)105 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.04 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation231 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation294 W
Rds On Max8.2 mΩ
Resistance8.2 MΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento