onsemi FCPF067N65S3
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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STMicroelectronicsSTF45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
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N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Descripciones
Descripciones de onsemi FCPF067N65S3 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-220F
TRANSISTOR, MOSFET, POWER, N-CHANNEL, EASY DRIVE, 650V, 44A, 67MOHM
MOSFET N-CH 650V 44A TO220F / Telecom / Sever Power Supplies
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 650V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 44A, To-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.059Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCPF067N65S3
SuperFET® III MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brandnew high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advancedtechnology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dtrate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance67 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation46 W
Rds On Max67 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height19.5 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento