onsemi CPH6445-TL-W
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Stock
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Authorized Distributors
3
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23-6
SOT-23-6
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
3.5 A
3.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
117 mΩ
117 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.6 W
1.6 W
Input Capacitance
310 pF
310 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiCPH6444-TL-E
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMP6110SVT-7
P-Ch MOSFET 60V 7.3A 105mΩ@4.5A,10V 969pF@30V TSOT-23-6 SMD 2.9mm × 1.6mm × 1mm
Diodes Inc.DMN5L06DMKQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 / DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Descripciones
Descripciones de onsemi CPH6445-TL-W suministradas por sus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Power MOSFET, 60V, 3.5A, 117mΩ
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:3.5A; On Resistance Rds(On):0.092Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance185 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance310 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max117 mΩ
Rise Time5.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.05 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento