onsemi BU406TU
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.598
Stock
195,255
126,505
Authorized Distributors
1
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
200 V
200 V
Max Collector Current
7 A
7 A
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
hFE Min
10
10
Power Dissipation
60 W
60 W
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
onsemiKSC2335RTU
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi BU406TU suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 200V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-220AB-3
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 200V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 60W; DC Collector Current: 7A; DC Current Gain hFE: -; Transis
The BU406 is a 400 V 7 A Silicon Epitaxial Planar NPN Transistor. The BU406 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent Power Dissipation.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage200 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Current Rating7 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Collector Current7 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation60 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento