onsemi BDX54BG
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.375
$ 0.47
Stock
2,709,940
63,746
Authorized Distributors
2
4
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
20 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
750
750
Power Dissipation
-
60 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi BDX54BG suministradas por sus distribuidores.
8.0 A, 80 V, 65 W PNP Darlington Bipolar Power Transistor
PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington PNP 80V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
200Ã×A 100V 65W 8A 750@3A3V 4V@3A12mA PNP -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Darlington Transistor, TO-220, PNP, 100V
TRANSISTOR, PNP, -80V, -8A, TO-220AB; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 65W; DC Collector Current: -8A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transisto
Bipolar Transistor, Pnp -80V To-220; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:80V; Frecuencia De Transición Ft:-; Disipación De Potencia Pd:65W; Corriente De Colector Dc:-8A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:750 |Onsemi BDX54BG
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.53 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento