onsemi BD438
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Stock
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Authorized Distributors
1
2
2
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-126
TO-225
TO-225
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
2 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
36 W
36 W
36 W
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.3A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Descripciones
Descripciones de onsemi BD438 suministradas por sus distribuidores.
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 85 @ 500mA 1V 4A 36W 3MHz
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Transistor GP BJT PNP 45V 4A 3-Pin TO-126
PNP Transistor 36W 5V 100μA 45V 4A TO-126 TH 13.64mm H
TRANSISTOR, PNP TO-126; Transistor Type:Power General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:45V; Current Ic Continuous a Max:4A; Min Hfe:40; Case Style:TO-126; Current Ic Max:4A; Current Ic hFE:2A; No. of Pins:3; Power, Ptot:36W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:45V; ft, Min:3MHz
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation36 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento