onsemi BD239C
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499,054
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
TO-220
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
30 W
30 W
30 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1986-07-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi BD239C suministradas por sus distribuidores.
100V 30W 2A NPN TO-220-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.0 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
700mV@ 200mA,1A NPN 30W 5V 300μA 100V 2A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
TRANS, NPN, 100V, 2A, 30W, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 30W; DC Col; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min15
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Voltage Rating (DC)100 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento