onsemi BCW71
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Stock
577,088
718,541
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23-3
-
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
-
Max Collector Current
500 mA
100 mA
Transition Frequency
330 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
110
110
Power Dissipation
350 mW
-
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-04-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
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Diodes Inc.MMBT4401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi BCW71 suministradas por sus distribuidores.
BCW71 Series 45 V CE Breakdown 0.5 A NPN General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
PNP Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 330MHz; Power Dissipation Pd: 350; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency330 MHz
Gain Bandwidth Product330 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency330 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency330 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento