onsemi BCW66GLT1G
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.038
$ 0.047
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Stock
2,398,786
1,360,445
1,360,445
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
800 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
60
60
60
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi BCW66GLT1G suministradas por sus distribuidores.
BCW66 Series 45 V 800 mA SMT NPN General Purpose Transistor - SOT-23-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
45V 300mW 160@100mA,1V 800mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors (BJT); BCW66GLT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 45 V; 800 mA
NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
General Purpose Transistors NPN Ic=800mA Vceo=45V hfe=160~400 P=300mW SOT23
800 mA 45 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
TRANSISTOR, NPN, 45V, 800MA, TO-236AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 160hFE
TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:800mA; Power Dissipation:300mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento