onsemi BCP56-16T3G
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Componentes alternativos
Este componente
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$ 0.164
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Stock
706,693
7,956,592
7,956,592
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
100
40
40
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
1.5 W
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiBCP56-10T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi BCP56-16T3G suministradas por sus distribuidores.
General Purpose Transistor Medium Power, NPN 80 V, 1 A BJT - NPN, 80V, 1A. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor hFE = 100 to 250
80V 1.5W 250@500mA,2.0V 1A NPN SOT-223-3 Bipolar (BJT) ROHS
ON SEMI BCP56-16T3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 80 V SOT-223
BCP Series 80 V 1.5 A Surface Mount NPN Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=1.5W SOT223
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
80V 1.5W 1A 100@150mA2V 130MHz 500mV@500mA50mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, SOT-223-4; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:25hFE; Tran
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency130 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.63 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento