onsemi BCP53T1G
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6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223
SOT-223
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1.5 A
1 A
1 A
Transition Frequency
50 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
40
25
25
Power Dissipation
1.5 W
2 W
2 W
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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BCP53 Series 80 V 1.5 A Surface Mount PNP Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
Descripciones
Descripciones de onsemi BCP53T1G suministradas por sus distribuidores.
Transistor GP BJT PNP 80V 1.5A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
80V 1.5W 25@5.0mA,2.0V 1.5A PNP SOT-223-3 Bipolar (BJT) ROHS
Bipolar Transistors (BJT); BCP53T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 4; 80 V; 1.5 A
BCP Series 80 V 1.5 A Surface Mount PNP Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
80V 1.5W 40@150mA,2V 1.5A PNP SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
PNP 80 V Bipolar Transistor hFE 40 to 250
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Transistor, Bipolar,Si,PNP,High Current, Medium Power,VCEO -80VDC,IC 1.5A,hFE 25 | ON Semiconductor BCP53T1G
Bipolar (BJT) single-bipolar transistor
TRANSISTOR, PNP, -80V, -1.5A, SOT-223-4; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 1.5W; DC Collector Current: -1.5A; DC Current Gain hFE: 40hFE;
Bjt, Pnp, -80V. Sot-223, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:1.5A; Power Dissipation:1.5W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BCP53T1G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-15 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1.5 A
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height1.651 mm
Length6.6802 mm
Width3.7084 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento