onsemi BC858BLT3G
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Stock
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4,450,206
4,450,206
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
300 mW
-
-
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi BC858BLT3G suministradas por sus distribuidores.
NPN 30 V 100 mA 100 MHz 300 mW Surface Mount Bipolar (BJT) Transistor - SOT-23-3
ON SEMI BC858BLT3G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SOT-23
650mV@ 5mA,100mA PNP 300mW 5V 15nA 30V 30V 100mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*940¦Ìm
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
30V 225mW 100mA 290@2mA5V 100MHz 650mV@100mA5mA PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor, Pnp -30V Sot-23; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:30V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC858BLT3G
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento