onsemi BC857BWT1G
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6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-323
SOT-323
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
150 mW
200 mW
200 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi BC857BWT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, -4; |Onsemi BC857BWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ON SEMI BC857BWT1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 3-PIN SC-70
onsemi PNP Transistor, SOT-323 (SC-70) Package, SMD, -100mA Ic, -45V Vceo
45V 150mW 220@2mA,5V 100mA PNP SC-70-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC Series PNP 150 W 45V 100mA Surface Mount General Purpose Transistor - SOT-323
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SC-70-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 150hFE
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento