onsemi BC846ALT1G
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6
6
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Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
110
110
110
Power Dissipation
225 mW
250 mW
250 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 / Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Diodes Inc.DDTC115ECA-7-F
DDTC115ECA Series 50 V 100 mA NPN Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTC143ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
Descripciones
Descripciones de onsemi BC846ALT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Trans General Purpose BJT NPN 65 Volt 0.1A 3-Pin SOT-23 Tape and Reel
ON SEMI BC846ALT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); BC846ALT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA
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TRANS NPN 65V 0.1A SOT23 / Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
ON Semiconductor BC846ALT1G Transistor NPN Tape on Full reel
Trans Bjt Single, Npn, 65V, 100Ma; |Onsemi BC846ALT1G.
ON Semiconductor NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage65 V
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 110hFE;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento