onsemi BC640TA
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Stock
448,032
300,475
300,475
Authorized Distributors
6
4
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
25
25
Power Dissipation
1 W
1.5 W
1.5 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi BC640TA suministradas por sus distribuidores.
BC640 Series 80 V 1 A 1 W PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
80V 1W 1A 40@150mA2V 100MHz 500mV@500mA50mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
General Purpose Transistor, TO-92, PNP, 80V
TRANS, PNP, -80V, -0.5A, 1.5W, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:25hFE; T
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240.007063 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage80 V
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento