onsemi BC556BTA
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Stock
661,415
160,769
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount, Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-90 mV
-250 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiKSB1116SYBU
Bulk Through Hole PNP KSB1116 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi BC556BTA suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
100 mA, 65 V PNP Bipolar Junction Transistor - Epitaxial Silicon
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92 82C0491;
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
65V 500mW 100mA 200@2mA5V 150MHz 250mV@100mA5mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240.007063 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-90 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current1 A
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency150 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage65 V
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento