onsemi BC32725BU
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.062
$ 0.073
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Stock
956,341
962,276
962,276
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-45 V
-45 V
-45 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
800 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-700 mV
-700 mV
-700 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
625 mW
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiKSB1116SYBU
Bulk Through Hole PNP KSB1116 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi BC32725BU suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ON Semiconductor BC32725BU Transistor BJT PNP TO 92 Discrete Bulk
BC327 Series PNP 625 mW 45 V Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Transistor BC327 General Purpose Amplifier PNP -45 Volt -800mA
700mV@ 50mA,500mA PNP 625mW 5V 100nA 45V 800mA TO-92-3 4.7mm*3.93mm*4.7mm
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
45V 625mW 800mA 160@100mA1V 100MHz PNP 700mV@500mA50mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: -800mA; DC Current Gain hFE: 100hFE
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product260 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height5.33 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento