onsemi 2SD1816S-TL-H
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Stock
662,306
1,440,229
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
hFE Min
140
140
Power Dissipation
-
-
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
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Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
Bipolar Array, Npn, 120V, 1.5A, To252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN04120HKTC
ROHM2SD1733TLP
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1733TLR
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SD1816S-TL-H suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
ON SEMI 2SD1816S-TL-H NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 4 A, 100 V, 3-PIN TP-FA
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min140
Max Collector Current4 A
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento