onsemi 2SD1816S-E
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Stock
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385,066
Authorized Distributors
1
2
Mount
-
-
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
140
140
Power Dissipation
1 W
-
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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Bulk Through Hole NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 180MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SD1816S-E suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Bip Transistor 100V, 4A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
400mV@ 200mA,2A NPN 1W 6V 1μA 120V 100V 4A TO-251 Through hole mounting 6.5mm*6.5mm*2.3mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min140
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency180 MHz
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento