onsemi 2SC6082-1E
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Cadena de suministros
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SC6082-1E suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistor, 50 V, 15 A, Low VCE(sat), NPN TO-220F-3SG
Bipolar Transistor, Npn, 50V, To-220F-3; |Onsemi 2SC6082-1E
Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 1-Element, NPN
NPN Transistor, onsemi, TO-220F, TH, Ic=15A, Vceo=60V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V, TO-220F-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 195MHz; Power Dissipation Pd: 23W; DC Collector Current: 15A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Tra
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -30.56%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current15 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product195 MHz
hFE Min200
Max Collector Current15 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency195 MHz
Dimensions
Height19.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento