onsemi KSD2012GTU
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiKSD2012YTU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 500mA 5V 100muA ICBO 25W 3MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi KSD2012GTU suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
KSD2012 Series 60 V 3 A Flange Mount Low Frequency Power Amplifier - TO-220F
TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, TO-220F-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 25W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 150hFE; Transisto
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +1.09%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min150
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width2.54 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento