onsemi 2N6426
Obsolete
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.154
Stock
810,280
59,229
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.2 V
hFE Min
20000
20000
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-02-23
LTD Date2012-08-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N6426 suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Darlington 40V 500mA TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Bipolar Darlington Transistor
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento