onsemi 2N6388
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.412
$ 0.412
Stock
82,468
226,002
226,002
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
20 MHz
20 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
100
1000
1000
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1988-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N6388 suministradas por sus distribuidores.
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 5A 3V 10A 2W 80V
10 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
POWER TRANSISTORS(65W) | TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current10 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento