Nexperia PUMH13,115
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Stock
36,845,492
4,387,899
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
-
-
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
230 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
100 mV
100 mV
100 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
-
200 mW
200 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 3 years ago)
Descripciones
Descripciones de Nexperia PUMH13,115 suministradas por sus distribuidores.
50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1= 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R
Bipolar Transistors (BJT); PUMH13,115; NEXPERIA; NPN; 6
PUMH13 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; \nR1 = 2.2 kO, R2 = 47 kO
PUMH13 Series 30 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-363
2 NPN pre-biased (Dual) 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 47KOHM / OPEN, 6-SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:47kohm; RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 300 / Typical Input Resistor kOhm = 4.7 / Typical Resistor Ratio kOhm = 10 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 100 / Operating Frequency MHz = 230
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-363; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: PUMH13 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Full Power Rating Temperature: 25°C; Module Configuration: Dual; No. of Pins: 6Pins; No. of Transistors: 2; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 200mW; Transistor Case Style: SOT-363; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: Bias Resistor (BRT); Transition Frequency ft: 230MHz; Voltage Vcbo: 50V
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min100
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Transition Frequency230 MHz
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento