Nexperia PSMN009-100B,118
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 2.404
$ 1.61
Stock
134,331
240,070
Authorized Distributors
4
3
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
8.8 mΩ
10 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
200 W
Input Capacitance
8.25 nF
5.15 nF
Cadena de suministros
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 2 years ago)
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Descripciones
Descripciones de Nexperia PSMN009-100B,118 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
230W(Tc) 20V 4V@1mA 156nC@ 10 V 1N 100V 8.8m¦¸@ 25A,10V 75A 8.25nF@25V D2PAK 10.3mm*9.4mm*4.5mm
Mosfet Rohs Compliant: Yes |Nexperia PSMN009-100B,118
75 A 100 V 0.0088 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.25 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation230 W
Rds On Max8.8 mΩ
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time38 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento