Nexperia BSP126,115
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 0.28
$ 0.323
Stock
672,024
115,804
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOT-223
SOT
Drain to Source Voltage (Vds)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
375 mA
350 mA
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
5 Ω
5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
120 pF
120 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descripciones
Descripciones de Nexperia BSP126,115 suministradas por sus distribuidores.
BSP126 Series 250V 5 Ohm 1.5W N-Ch Enhancement Mode D-MOS Transistor - SOT-223
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
MOSFET Devices; NEXPERIA; BSP126, 115; 250 V; 300 mA; 1.5 W; 2.8 Ohm
N-channel enhancement mode vertical D-MOS logic level FET
Resistor 1.5W 2.8V 250V 375mA SOT-223, 6.7mm L × 1.8mm H
375 mA 250 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 250V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC,BSP126,115,TAPE-7 MOSFET <A Z
NOW NEXPERIA BSP126 - 0.35A, 250
MOSFET, N CH, 250V, 375MA, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:375mA; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)375 mA
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)250 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance120 pF
Max Dual Supply Voltage250 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max5 Ω
Resistance5 Ω
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento