Microchip VP2450N8-G
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Cadena de suministros
Projected EOL Date2034-06-09
Country of AssemblyChina, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMN6A07ZTA
N-Channel 60 V 0.25 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
NXP SemiconductorsAFT05MS004NT1
AFT05MSx Series 30 V 520 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - SOT-89-3
Descripciones
Descripciones de Microchip VP2450N8-G suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 500V 0.16A 3-Pin SOT-89 T/R - Tape and Reel
Power Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 500V, 30ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
MOSFET, -500V, 0.16A, 150DEG C, 1.6W; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -160mA; Drain Source Voltage Vds: -500V; On Resistance Rds(on): 30ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -
Alias de fabricantes
Microchip tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Microchip también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Weight52.786812 mg
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)-160 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-500 V
Drain to Source Resistance35 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max30 Ω
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
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