Diodes Inc. ZXMN6A07ZTA
$ 0.288
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXMN6A07ZTA | 1000 | 1K | 1d | ||||||||
| Newark | ZXMN6A07ZTA | 90 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMN6A07ZCT-ND | 5 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN6A07ZTA | 362 | 1 | 19h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMN6A07ZTA | 0 | 10 | Bulk | 19h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN6A07ZTA suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 60 V 0.25 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
MOSFET, N-CH, 60V, 1.9A, SOT-89 ROHS COMPLIANT: YES
MOSFETs 60V 1.5W SMT SOT89 2.5A N-Channel
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 2.5 A, SOT-89, , 3
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.9A, 1.5W;
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight130.492855 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance166 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.6 W
Min Breakdown Voltage60 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time4.9 ns
Turn-On Delay Time1.8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento