Littelfuse IXTH30N50L2
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
InfineonSPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3 N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
STMicroelectronicsSTW28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
InfineonIPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descripciones
Descripciones de Littelfuse IXTH30N50L2 suministradas por sus distribuidores.
Single N Channel 600 V 215 mO 240 nC 400 W Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
400W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 240nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 200mΩ@ 15A,10V 30A 8.1nF@25V TO-247 Through hole mounting 16.26mm*5.3mm*21.46mm
MOSFET,N CH,500V,30A,TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Di
Alias de fabricantes
Littelfuse tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Littelfuse también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Historial de existencias
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Modelos CAD
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0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation400 W
Rds On Max215 mΩ
Reverse Recovery Time500 ns
Rise Time117 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time94 ns
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