ISSI IS61LPS25636A-200TQLI
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) Code3A991.b.2.a
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.41
Introduction Date2005-02-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 year ago)
Componentes relacionados
IC, SRAM, 9 Mbit, 256K x 8bit, 3.1 ns Access Time, 3.135 V to 3.465 V supply, TQFP-100
8MB,"""NO-WAIT""""/PIPELINE,SYNC,256K X 36,200MHZ,3.3V I/O,100 PIN TQFP, ROHS"
InfineonCY7C1360C-200AXC
CY7C1360C 9 Mb (256 K x 36) 3.3 V 200 MHz Synchronous Pipelined SRAM - TQFP-100
InfineonCY7C1360C-200AJXC
CY7C1360C 9 Mb (256 K x 36) 3.3 V 200 MHz Synchronous Pipelined SRAM - TQFP-100
InfineonCY7C1354C-200AXC
CY7C1354CV25 9 Mb (256 K x 36) 200 MHz 3.3 V Pipelined SRAM - TQFP-100
Descripciones
Descripciones de ISSI IS61LPS25636A-200TQLI suministradas por sus distribuidores.
9Mb £¨256K x 36£© 256 k x 36 3.135V 275mA 3.465V 200MHz Parallel QFP
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
Memory - SRAM, Pipeline, Synchronous 8Mb,256Kx36,200Mhz, 3.3v I/O
3A991.B.2.A Surface Mount Tray 256KX36 ic memory 200MHz 3.1ns 20mm 275mA
256K X 36, 9 MBIT SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100
3.135V~3.465V 9Mbit TQFP-100(14x20) SRAM ROHS
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
SRAM, 9MBIT, PARALLEL, 3.1NS TQFP100
Static Random Access Memory (SRAM)
8MB,PIPELINE,SYNC,256K X 36,20 <NV
RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V
Sram, 9Mbit, Parallel, 3.1Ns Tqfp100; Sram Type:Pipelined Sram; Memory Configuration:256K X 36Bit; Ic Case/Package:Tqfp; No. Of Pins:100Pins; Supply Voltage Min:3.135V; Supply Voltage Max:3.465V; Supply Voltage Nom:3.3V Rohs Compliant: Yes |Integrated Silicon Solution (Issi) IS61LPS25636A-200TQLI
Alias de fabricantes
ISSI tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ISSI también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ISSI Integrated Silicon Solution Inc
- ICSI
- ISS
- Integrated Silicon Solution Inc
- INTEGRATED SILICON SOLUTION
- Integrated Silicon Solution Inc (ISSI)
- Integrated Silicon Solutions
- INTEGRATED SILICON S
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
- INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION
- ISSI(Integrated Silicon Solution)
- INTEGRATED SILICON SOLUTIONS (ISSI)
- ISSI INC
- Integrated Circuit Solution Inc
- ISSI/ICSI
- INTEGRATED SILICON SOLUTIONS INC
- INTEGRATED SILICON SOLUTI
- INTEGRATED CIRCUIT SOLUTI
- ISSI/INTEGRATED
- ISSI Integrated Silicon Solut
- ISSI (INTEGRATED SILICON SOLUTIONS)
- ISSI Integrated Silicon
- ISSI (INTEGRATED SILICON SOLU
- Integrated Silicon Solutions Inc(ISSI)
- ISSI/HIT
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -7.91%
Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageLQFP
Number of Pins100
Number of Terminals100
Technical
Access Time3.1 ns
Address Bus Width18 b
Density9 Mb
Frequency200 MHz
InterfaceParallel
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Current275 mA
Max Supply Voltage3.465 V
Memory TypeRAM, SRAM
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage3.135 V
Nominal Supply Current275 mA
Number of Circuits1
Number of Ports4
Number of Words256000
Operating Supply Voltage3.3 V
Sync/AsyncSynchronous
Temperature GradeIndustrial
Word Size36 b
Dimensions
Height - Seated (Max)1.6 mm
Length20 mm
Terminal Pitch650 µm
Width14 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant