Infineon IRLSL4030PBF
$ 1.58
Obsolete
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRLSL4030PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 180A TO262 / N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; On Resistance Rds(On):0.0034Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time170 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.36 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation370 W
Rds On Max4.3 mΩ
Resistance4.3 Ω
Rise Time330 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time74 ns
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento