Infineon IRFSL4010PBF

Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
$ 4.437
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFSL4010PBF14001K
Rochester ElectronicsIRFSL4010PBF47.000
2d
RS (Formerly Allied Electronics)IRFSL4010PBF02Bulk
8h
FarnellIRFSL4010PBF01K
19h
Microchip USAIRFSL4010PBF113150Tube
11h

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Newark

Datasheet10 páginasHace 14 años

Farnell

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFSL4010PBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Future Electronics
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IHS
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; On Resistance Rds(On):0.0039Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 180 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 77 / Rise Time ns = 86 / Turn-OFF Delay Time ns = 100 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-262 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Distrelec

Imágenes

Infineon
RS
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFSL4010
  • IRFSL4010PBF.
  • SP001567760