Infineon IRLR3114ZPBF
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Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vds)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
2.5 V
1 V
1 V
Rds On Max
4.9 mΩ
4.9 mΩ
4.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.81 nF
3.81 nF
3.81 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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Descripciones
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MOSFET N-CH 40V 42A DPAK N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Logic Level | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
MOSFET, N D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:40nC; Current Id Max:42A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:500A; Termination Type:SMD; Voltage Vgs Max:16V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max4.9 mΩ
Recovery Time45 ns
Resistance4.9 MΩ
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento