Infineon IRLR120NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.185 Ohm; Id 10A; D-pak (TO-252AA); Pd 48W
$ 0.417
Production

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Newark

Datasheet12 páginasHace 11 años
Datasheet11 páginasHace 21 años
Datasheet11 páginasHace 28 años
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element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.417
$ 1.526
Stock
2,277,282
236,205
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
10 A
10 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
185 mΩ
185 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
39 W
48 W
Input Capacitance
440 pF
440 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
InfineonAUIRFR120Z
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS

Descripciones

Descripciones de Infineon IRLR120NTRPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Surface Mount
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
N CHANNEL MOSFET, 100V, 10A, D-PAK; TRAN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A;
IRLR120NTRPBF,MOSFET, 100V, 11 A, 185 MOHM, 13.3 NC QG, LOGI
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:11A; Package/Case:D-PAK; Power Dissipation, Pd:39W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:6.9A; Drain Source On Resistance @ 10V:185mohm ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 10 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 185 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 48

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFIRLR120NTRPBF
  • IRLR120NTRPBF.
  • SP001574026