Infineon IRLMS5703TRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMN3A01E6TA
N-Channel 30 V 0.12 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Diodes Inc.DMG6602SVT-7
N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLMS5703TRPBF suministradas por sus distribuidores.
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID -2.4A;Micro6;PD 1.7W;VGS +/-20V
Single P-Channel 30 V 0.18 Ohm 7.2 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-6
MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -2.3A, 200 MOHM, 7.2 NC QG, LOGIC L
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
MOSFET, P, 6-TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.7W; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-2.3A; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:1.7W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET | Target Applications: DC Switches; Load Switch
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance170 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation780 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation780 mW
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.4478 mm
Length2.9972 mm
Width1.75 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento