Infineon IRL6372PBF
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.304
Stock
294,065
450,002
Authorized Distributors
2
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.1 A
8.1 A
Threshold Voltage
1.1 V
-
Rds On Max
17.9 mΩ
17.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
1.02 nF
1.02 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Componentes relacionados
InfineonIRF7403TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de Infineon IRL6372PBF suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC Tube
MOSFET Dual N-Ch 30V 8.1A HEXFET SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.0179ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified MSL1; Dual N-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection
MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Power Dissipation Pd:2W
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance17.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance17.9 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2 W
Rds On Max17.9 mΩ
Recovery Time20 ns
Resistance17.9 MΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento