Infineon IRL3705ZSTRLPBF
$ 2.4
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRL3705ZSTRLPBF | 350 | 3 | |||||||||
| DigiKey | IRL3705ZSTRLPBFCT-ND | 4 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRL3705ZSTRLPBF | 0 | 8 | Bulk | 7h | |||||||
| Microchip USA | IRL3705ZSTRLPBF | 2202 | 600 | 1d | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRL3705ZSTRLPBF | 5000 | 1 | Tape & Reel | 20h |
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Este componente
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$ 2.4
$ 1.14
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Stock
333,581
149,616
149,616
Authorized Distributors
3
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
8 mΩ
8 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
130 W
130 W
130 W
Input Capacitance
2.88 nF
2.88 nF
2.88 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Componentes relacionados
InfineonIRL3705NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.01Ohm;ID 89A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-16V;-55d
STMicroelectronicsSTB60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB80NF55-08T4
N-channel 55 V, 0.0065 Ohm typ., 80 A STripFET Power MOSFET in a D2PAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRL3705ZSTRLPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 6.5Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-16
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 55 V 12 mOhm 60 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:75A; On Resistance Rds(On):0.0065Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation130 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time240 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento