Infineon IRG4PH50KDPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31
Componentes relacionados
InfineonIRG4PH50UDPBF
Transistor IGBT Chip Negative Channel 1.2K Volt 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
InfineonIRG4PH50UPBF
Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC
LittelfuseIXDH20N120D1
IXDH20N120D1 Series 1200 V 38 A N-Channel High Voltage IGBT - TO-247AD
STMicroelectronicsSTGW25H120F2
STGW25H120F2 Series 1200 V 50 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Descripciones
Descripciones de Infineon IRG4PH50KDPBF suministradas por sus distribuidores.
IRG4PH50KDPBF Series 1200 V 24 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 3.5 V Current release time: 390 ns Power dissipation: 200 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:45A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):3.5V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:45A; Collector Emitter Voltage Vces:2.77V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:45A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PH50KDPBF; Fall Time Max:300ns; Fall Time tf:300ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:90A; Rise Time:100ns; Short Circuit Withstand Time Min:10µs; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.19 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current52 A
Current Rating45 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current45 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Reverse Recovery Time90 ns
Rise Time100 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time310 ns
Turn-On Delay Time61 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento