Infineon IRG4PF50WDPBF

IRG4PF50WDPBF Series 900 V 28 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
$ 16.53
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRG4PF50WDPBF.

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Datasheet11 páginasHace 22 años
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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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MicrochipAPT27GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 900V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247
MicrochipAPT35GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube

Descripciones

Descripciones de Infineon IRG4PF50WDPBF suministradas por sus distribuidores.

IRG4PF50WDPBF Series 900 V 28 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
Copacked 900V IGBT in a TO-247AC package with ultrafast 20-100 kHz ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diode, TO247COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.7 V Current release time: 190 ns Power dissipation: 200 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:51A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, TO-247; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.25V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cu
IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:51A; Collector Emitter Voltage Vces:2.25V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:51A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PF50WDPbF; Fall Time Max:190ns; Fall Time tf:220ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:204A; Rise Time:52ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:900V

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFIRG4PF50WDPBF
  • IRG4PF50WD
  • IRG4PF50WDPBF.
  • SP001547862