Infineon IRG4PC50FPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTGW40NC60W
STGW40NC60W Series 600 V 40 A Flange Mount Ultra Fast IGBT - TO-247
STMicroelectronicsSTGW40NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descripciones
Descripciones de Infineon IRG4PC50FPBF suministradas por sus distribuidores.
IRG4PC50FPBF, IGBT Transistor, 70 A 600V, 3-Pin TO-247AC
IRG4PC50 Series 600 V 39 A N-Channel Fast Speed IGBT - TO-247AC
FAST SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.6 V Current release time: 230 ns Power dissipation: 200 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:70A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.6V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:70A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:130ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:280A; Rise Time:25ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current70 A
Current Rating70 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time190 ns
Max Collector Current70 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time240 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height24.6 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento