Infineon IRG4BC40WPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19
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onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Descripciones
Descripciones de Infineon IRG4BC40WPBF suministradas por sus distribuidores.
600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRG4BC40WPBF Series 600 V 20 A N-Channel Latest Generation IGBT - TO-220AB
Target Applications: Air Conditioner; Dishwasher; Fan; PFC; Pump; Washing Machine
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, TO-220; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cur
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:40A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:74ns; Fall Time tf:74ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.36 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current40 A
Current Rating40 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Input Capacitance1.9 nF
Max Collector Current40 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation160 W
Rise Time22 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.54 mm
Width4.69 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento