Infineon IRG4BC40UPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-09-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-02-11
LTD Date2009-08-11
Componentes relacionados
InfineonIRG4BC40FPBF
Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
InfineonIRG4BC40KPBF
Transistor; N-Channel IGBT; TO-220AB; 42 A (Max.); 600 V (Max.); 160 W (Max.)
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Descripciones
Descripciones de Infineon IRG4BC40UPBF suministradas por sus distribuidores.
600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
IRG4BC40UPbF Series 600 V 20 A N-Channel Ultrafast Speed IGBT - TO-220AB
Target Applications: Air Conditioner; Dishwasher; Fan; PFC; Pump; Washing Machine
Transistor; IGBT; 600V; 40A; 160W; -55+150 deg.C; THT; TO220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.4V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:40A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4BC40UPBF; Fall Time tf:180ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:19ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current40 A
Current Rating40 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time180 ns
Max Collector Current40 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation160 W
Rise Time19 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time34 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.57 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento