Infineon IRFZ44ZSPBF
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1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
51 A
51 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
13.9 mΩ
13.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
1.42 nF
1.42 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB55NF06T4
N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFZ44ZSPBF suministradas por sus distribuidores.
HEXFET® Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mΩ , ID = 51A ) | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation80 W
Rds On Max13.9 mΩ
Recovery Time35 ns
Resistance13.9 mΩ
Rise Time68 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento