Infineon IRFS4410ZTRLPBF
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Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
97 A
97 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
Input Capacitance
4.82 nF
4.82 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRFS4410ZTRLPBF suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Single N-Channel 100V 9 mOhm 83 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)97 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation230 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time52 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento