Infineon IRFS4227PBF
$ 6
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Historial de existencias
Tendencia del historial del inventario no disponible
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFS4227PBF.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRFS4227PBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 6
$ 1.33
Stock
434,085
770,025
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
62 A
62 A
Threshold Voltage
5 V
-
Rds On Max
26 mΩ
26 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
330 W
330 W
Input Capacitance
4.6 nF
4.6 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Componentes relacionados
InfineonIRFS4227TRLPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS4127PBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS4229PBF
250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiFDB52N20TM
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 52 A, 200 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB52N20TM
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFS4227PBF suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Negative Channel 200 Volt 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 200 V 26 mOhm 98 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
MOSFET, N Ch., 200V, 62A, 26 MOHM, 70 NC QG, D2-PAK, Pb-Free
MOSFET, N, 200V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Operating Temperature Range:-40°C to +180°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 100°C:44A; Cont Current Id @ 25°C:62A; Current Id Max:62A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:260A; Rth:0.45; Termination Type:SMD; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:240V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia del historial del inventario no disponible
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage240 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation330 W
Rds On Max26 mΩ
Recovery Time150 ns
Rise Time20 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFS4227PBF.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento