Infineon IRFS31N20DTRLP
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Componentes relacionados
InfineonIRFS23N20DTRLP
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 24A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-30V;-55d
STMicroelectronicsSTB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK / N-Channel 200 V 30A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFS31N20DTRLP suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
Single N-Channel 200V 0.082 Ohm 70 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
MOSFET,N CH,200V,31A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):82mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Power Dissipation Pd:200W; Voltage Vgs Max:30V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Elements1
On-State Resistance82 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation200 W
Rds On Max82 mΩ
Resistance82 mΩ
Rise Time38 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento