Infineon IRFR3711TRPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 5.2Milliohms; ID 100A; D-Pak (TO-252AA); -55de
$ 0.48
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRFR3711TRPBF3000
10h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFR3711TRPBF06KBulk
3h
Microchip USAIRFR3711TRPBF23923KTray
1d
VericalIRFR3711TRPBF3000577
Win SourceWS-IRFR3711TRPBF185095
11h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFR3711TRPBF.

IHS

Datasheet12 páginasHace 21 años
Datasheet11 páginasHace 21 años

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRFR3711TRPBF
InfineonIRFR3711TRLPBF
Price @ 1000
$ 0.48
$ 0.48
Stock
120,860
137,540
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
30 A
30 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
120 W
120 W
Input Capacitance
2.98 nF
2.98 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRFR3711ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Detalles
onsemiNTD110N02R
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
Detalles
onsemiNTD110N02RT4
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 110A N-Channel No-Cancel/No-Return
Detalles
onsemiNTD80N02T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
Detalles
InfineonIRLR8256TRPBF
Single N-Channel 25 V 5.7 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFR3711TRPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 100A;D-Pak (TO-252AA);-55de
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 20 V 6.5 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:110A; Package/Case:D-PAK; Power Dissipation, Pd:120W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:69A; Drain Source On Resistance @ 10V:6.5mohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

Infineon
Augswan
TME
iiiC
Future Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFR3711TRPBF.
  • SP001557028